FDMB3900AN
FDMB3900AN
Número de pieza:
FDMB3900AN
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12170 Pieces
Ficha de datos:
FDMB3900AN.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMB3900AN-ND
FDMB3900ANTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMB3900AN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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