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NTTFS4824NTWG
- Número de pieza:
- NTTFS4824NTWG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15761 Pieces
- Ficha de datos:
- NTTFS4824NTWG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTTFS4824NTWG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTTFS4824NTWG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 660mW (Ta), 46.3W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerWDFN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTTFS4824NTWG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2363pF @ 12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 29nC @ 11.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 8.3A (Ta), 69A (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta), 69A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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