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NTTFS4824NTAG
NTTFS4824NTAG
Número de pieza:
NTTFS4824NTAG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14051 Pieces
Ficha de datos:
NTTFS4824NTAG.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):660mW (Ta), 46.3W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:NTTFS4824NTAGOSDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:23 Weeks
Número de pieza del fabricante:NTTFS4824NTAG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2363pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 8.3A (Ta), 69A (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 11.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 69A (Tc)
Email:[email protected]

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