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NTGS1135PT1G
- Número de pieza:
- NTGS1135PT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15717 Pieces
- Ficha de datos:
- NTGS1135PT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTGS1135PT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTGS1135PT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 850mV @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 970mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTGS1135PT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 8V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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