NTD3817NT4G
NTD3817NT4G
Número de pieza:
NTD3817NT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15010 Pieces
Ficha de datos:
NTD3817NT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:13.9 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD3817NT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:702pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 16V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:16V
Descripción:MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Email:[email protected]

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