NTD3808N-1G
NTD3808N-1G
Número de pieza:
NTD3808N-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13276 Pieces
Ficha de datos:
NTD3808N-1G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD3808N-1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD3808N-1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NTD3808N-1G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.8 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta), 52W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTD3808N-1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 16V 12A (Ta), 76A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:16V
Descripción:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 76A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios