NTB23N03RT4G
NTB23N03RT4G
Número de pieza:
NTB23N03RT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19191 Pieces
Ficha de datos:
NTB23N03RT4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):37.5W (Tj)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:NTB23N03RT4GOS
NTB23N03RT4GOS-ND
NTB23N03RT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTB23N03RT4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.76nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta)
Email:[email protected]

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