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NSVBAS19LT1G
- Número de pieza:
- NSVBAS19LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12412 Pieces
- Ficha de datos:
- NSVBAS19LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSVBAS19LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSVBAS19LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 200mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 120V |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 50ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSVBAS19LT1G |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 120V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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