NSVBAS116LT3G
NSVBAS116LT3G
Número de pieza:
NSVBAS116LT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17067 Pieces
Ficha de datos:
NSVBAS116LT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.25V @ 150mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):75V
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr):3µs
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSVBAS116LT3G
Descripción ampliada:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Corriente - Fuga inversa a Vr:5nA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io):200mA (DC)
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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