NSBA113EF3T5G
NSBA113EF3T5G
Número de pieza:
NSBA113EF3T5G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS DUAL PNP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19610 Pieces
Ficha de datos:
NSBA113EF3T5G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SOT-1123
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):1k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):1k
Potencia - Max:254mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-1123
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSBA113EF3T5G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Descripción:TRANS PREBIAS DUAL PNP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:3 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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