NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G
Número de pieza:
NSBA113EDXV6T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15051 Pieces
Ficha de datos:
NSBA113EDXV6T1G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSBA113EDXV6T1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSBA113EDXV6T1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NSBA113EDXV6T1G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):1k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):1k
Potencia - Max:250mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSBA113EDXV6T1G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:3 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios