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NSB8MTHE3_A/P
- Número de pieza:
- NSB8MTHE3_A/P
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14208 Pieces
- Ficha de datos:
- NSB8MTHE3_A/P.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NSB8MTHE3_A/P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NSB8MTHE3_A/P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 30 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSB8MTHE3_A/P |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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