NSB8MTHE3/45
NSB8MTHE3/45
Número de pieza:
NSB8MTHE3/45
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17648 Pieces
Ficha de datos:
1.NSB8MTHE3/45.pdf2.NSB8MTHE3/45.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:TO-263AB
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NSB8MTHE3/45
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount TO-263AB
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):8A
Capacitancia Vr, F:55pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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