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NP80N04PLG-E1B-AY
NP80N04PLG-E1B-AY
Número de pieza:
NP80N04PLG-E1B-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18832 Pieces
Ficha de datos:
NP80N04PLG-E1B-AY.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.5 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta), 115W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:NP80N04PLG-E1B-AY-ND
NP80N04PLG-E1B-AYTR
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NP80N04PLG-E1B-AY
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:135nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-263
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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