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BSP125 E6327
- Número de pieza:
- BSP125 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17644 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP125 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP125 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP125 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 94µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP125E6327T SP000011100 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP125 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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