NESG2107M33-T3-A - CEL - Transistores-bipolar (BJT)-RF NESG2107M33-T3-A

NESG2107M33-T3-A

Número de pieza:: NESG2107M33-T3-A

Fabricante:: CEL (California Eastern Laboratories)

Descripción:: TRANS NPN 2GHZ M33

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 15748 Pieces

Ficha de datos:: NESG2107M33-T3-A.pdf

Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	5V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	3-SuperMiniMold (M33)
Serie:	-
Potencia - Max:	130mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	3-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	NESG2107M33-T3-A
Ganancia:	7dB ~ 10dB
Frecuencia - Transición:	10GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 5V 100mA 10GHz 130mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (M33)
Descripción:	TRANS NPN 2GHZ M33
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	140 @ 5mA, 1V
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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