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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > NESG2107M33-A
NESG2107M33-A
Número de pieza:
NESG2107M33-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción:
TRANS NPN 2GHZ M33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12911 Pieces
Ficha de datos:
NESG2107M33-A.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):5V
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:3-SuperMiniMold (M33)
Serie:-
Potencia - Max:130mW
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:3-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NESG2107M33-A
Ganancia:7dB ~ 10dB
Frecuencia - Transición:10GHz
Descripción ampliada:RF Transistor NPN 5V 100mA 10GHz 130mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (M33)
Descripción:TRANS NPN 2GHZ M33
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:140 @ 5mA, 1V
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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