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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > NE3513M04-T2B-A
NE3513M04-T2B-A
Número de pieza:
NE3513M04-T2B-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción:
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12423 Pieces
Ficha de datos:
NE3513M04-T2B-A.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NE3513M04-T2B-A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NE3513M04-T2B-A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Voltaje - Prueba:2V
Tensión - Calificación:4V
Tipo de transistor:N-Channel GaAs HJ-FET
Paquete del dispositivo:4-Super Mini Mold
Serie:-
Alimentación - Salida:125mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-SMD, Flat Leads
Figura de ruido:0.65dB
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NE3513M04-T2B-A
Ganancia:13dB
Frecuencia:12GHz
Descripción ampliada:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
Descripción:FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Valoración actual:60mA
Corriente - Prueba:10mA
Email:[email protected]

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