Comprar NE3511S02-T1C-A con BYCHPS
Compre con garantía
NE3511S02-T1C-A
- Número de pieza:
- NE3511S02-T1C-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- IC AMP RF LNA 13.5DB S02
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19915 Pieces
- Ficha de datos:
- NE3511S02-T1C-A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NE3511S02-T1C-A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NE3511S02-T1C-A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 2V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 4V |
| Tipo de transistor: | HFET |
| Paquete del dispositivo: | S02 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | NE3511S02-T1C-A-ND NE3511S02-T1C-ATR |
| Figura de ruido: | 0.3dB |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NE3511S02-T1C-A |
| Ganancia: | 13.5dB |
| Frecuencia: | 12GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Descripción: | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 |
| Valoración actual: | 70mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NE3511S02-T1C-A
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Investigación |
 |
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Investigación |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Investigación |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Investigación |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Investigación |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Investigación |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Investigación |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Investigación |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Investigación |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Investigación |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Investigación |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Investigación |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Investigación |
|
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Investigación |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Investigación |
 |
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | Investigación |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog