NDF03N60ZH
NDF03N60ZH
Número de pieza:
NDF03N60ZH
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17245 Pieces
Ficha de datos:
NDF03N60ZH.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):27W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NDF03N60ZH
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:372pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 3.1A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220FP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

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