NCP5359AMNR2G
Número de pieza:
NCP5359AMNR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14163 Pieces
Ficha de datos:
NCP5359AMNR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:10 V ~ 13.2 V
Paquete del dispositivo:8-DFN (2x2)
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):16ns, 15ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-VFDFN Exposed Pad
Otros nombres:NCP5359AMNR2G-ND
NCP5359AMNR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NCP5359AMNR2G
Tensión lógica - VIL, VIH:1V, 2V
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap):30V
Tipo de Puerta:N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN (2x2)
Configuración impulsada:Half-Bridge
Descripción:IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):-
Corriente de carga:Synchronous
Email:[email protected]

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