NCP5359ADR2G
Número de pieza:
NCP5359ADR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15944 Pieces
Ficha de datos:
NCP5359ADR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:10 V ~ 13.2 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):16ns, 15ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:NCP5359ADR2G-ND
NCP5359ADR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:NCP5359ADR2G
Tensión lógica - VIL, VIH:1V, 2V
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap):30V
Tipo de Puerta:N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configuración impulsada:Half-Bridge
Descripción:IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):-
Corriente de carga:Synchronous
Email:[email protected]

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