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NAND04GW3B2DN6E
- Número de pieza:
- NAND04GW3B2DN6E
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 4GBIT 48TSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15135 Pieces
- Ficha de datos:
- NAND04GW3B2DN6E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NAND04GW3B2DN6E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NAND04GW3B2DN6E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 48-TSOP |
| Velocidad: | - |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Número de pieza del fabricante: | NAND04GW3B2DN6E |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC FLASH 4GBIT 48TSOP |
| Email: | [email protected] |
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