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NAND01GW3B2BZA6E
- Número de pieza:
- NAND01GW3B2BZA6E
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18879 Pieces
- Ficha de datos:
- NAND01GW3B2BZA6E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NAND01GW3B2BZA6E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NAND01GW3B2BZA6E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 63-VFBGA (9x11) |
| Velocidad: | - |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 63-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1Gb (128M x 8) |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Número de pieza del fabricante: | NAND01GW3B2BZA6E |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA |
| Email: | [email protected] |
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