MT47H512M4THN-25E:H
Número de pieza:
MT47H512M4THN-25E:H
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16163 Pieces
Ficha de datos:
MT47H512M4THN-25E:H.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.9 V
Paquete del dispositivo:63-FBGA (8x10)
Velocidad:400MHz
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:63-TFBGA
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TC)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:2Gb (512M x 4)
Formato de memoria:DRAM
Número de pieza del fabricante:MT47H512M4THN-25E:H
Interfaz:Parallel
Descripción:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
Email:[email protected]

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