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MT47H512M4EB-3:C
- Número de pieza:
- MT47H512M4EB-3:C
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12971 Pieces
- Ficha de datos:
- MT47H512M4EB-3:C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MT47H512M4EB-3:C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MT47H512M4EB-3:C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 60-FBGA (9x11.5) |
| Velocidad: | 333MHz |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 60-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Gb (512M x 4) |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Número de pieza del fabricante: | MT47H512M4EB-3:C |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA |
| Email: | [email protected] |
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