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MSRT25060(A)
- Número de pieza:
- MSRT25060(A)
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16470 Pieces
- Ficha de datos:
- MSRT25060(A).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MSRT25060(A), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MSRT25060(A) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 250A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Otros nombres: | MSRT25060(A)GN MSRT25060A |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MSRT25060(A) |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 15µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 250A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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