MSRT200100(A)
MSRT200100(A)
Número de pieza:
MSRT200100(A)
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14312 Pieces
Ficha de datos:
1.MSRT200100(A).pdf2.MSRT200100(A).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 200A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:Three Tower
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Three Tower
Otros nombres:MSRT200100(A)GN
MSRT200100A
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:MSRT200100(A)
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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