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MSD6100G
- Número de pieza:
- MSD6100G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12423 Pieces
- Ficha de datos:
- MSD6100G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MSD6100G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MSD6100G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 135°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MSD6100G |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200mA (DC) |
| Email: | [email protected] |
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