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FFSH20120ADN_F155
- Número de pieza:
- FFSH20120ADN_F155
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SIC 1200V 10A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 20089 Pieces
- Ficha de datos:
- FFSH20120ADN_F155.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FFSH20120ADN_F155, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FFSH20120ADN_F155 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.75V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 37 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FFSH20120ADN_F155 |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE SIC 1200V 10A TO247 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 10A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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