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MRFE6VP6600GNR3
- Número de pieza:
- MRFE6VP6600GNR3
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANS RF LDMOS 600W 50V
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16841 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.MRFE6VP6600GNR3.pdf2.MRFE6VP6600GNR3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRFE6VP6600GNR3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRFE6VP6600GNR3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 50V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 133V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | OM-780G-4L |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 600W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | OM-780G-4L |
| Otros nombres: | 935323761528 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MRFE6VP6600GNR3 |
| Ganancia: | 24.7dB |
| Frecuencia: | 230MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780G-4L |
| Descripción: | TRANS RF LDMOS 600W 50V |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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