Comprar MRFE6VP6300HSR3 con BYCHPS
Compre con garantía
MRFE6VP6300HSR3
- Número de pieza:
- MRFE6VP6300HSR3
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15483 Pieces
- Ficha de datos:
- MRFE6VP6300HSR3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRFE6VP6300HSR3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRFE6VP6300HSR3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 50V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 130V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | NI-780S-4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 300W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | NI-780S-4 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MRFE6VP6300HSR3 |
| Ganancia: | 26.5dB |
| Frecuencia: | 230MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780S-4 |
| Descripción: | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRFE6VP6300HSR3
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Investigación |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Investigación |
 |
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | Investigación |
|
MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Investigación |
 |
MRFE6VP6300GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 50V 600MHZ NI780-4 | Investigación |
 |
MRFE6VP61K25HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | Investigación |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | Investigación |
 |
MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Investigación |
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Investigación |
|
MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers