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MMFT2N02ELT1
- Número de pieza:
- MMFT2N02ELT1
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 18733 Pieces
- Ficha de datos:
- MMFT2N02ELT1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MMFT2N02ELT1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MMFT2N02ELT1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 150 mOhm @ 800mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 800mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | MMFT2N02ELT1OSDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MMFT2N02ELT1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 1.6A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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