MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G
Número de pieza:
MMBT5551LT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19430 Pieces
Ficha de datos:
MMBT5551LT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):160V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:200mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potencia - Max:225mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBT5551LT3G-ND
MMBT5551LT3GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBT5551LT3G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA
Corriente - colector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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