MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G
Número de pieza:
MMBT5550LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12647 Pieces
Ficha de datos:
MMBT5550LT1G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MMBT5550LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MMBT5550LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar MMBT5550LT1G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):140V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Potencia - Max:225mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBT5550LT1GOS
MMBT5550LT1GOS-ND
MMBT5550LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBT5550LT1G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA
Corriente - colector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios