IXTU8N70X2
Número de pieza:
IXTU8N70X2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18211 Pieces
Ficha de datos:
IXTU8N70X2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:500 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTU8N70X2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 700V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-251
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción:MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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