FCU900N60Z
FCU900N60Z
Número de pieza:
FCU900N60Z
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15926 Pieces
Ficha de datos:
FCU900N60Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251 (IPAK)
Serie:SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 2.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCU900N60Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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