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IXTU01N100D
- Número de pieza:
- IXTU01N100D
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14130 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTU01N100D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTU01N100D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTU01N100D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-251 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTU01N100D |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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