IRFS4710PBF
IRFS4710PBF
Número de pieza:
IRFS4710PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14144 Pieces
Ficha de datos:
IRFS4710PBF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFS4710PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFS4710PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRFS4710PBF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:*IRFS4710PBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFS4710PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 75A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios