IXTP50N20PM
IXTP50N20PM
Número de pieza:
IXTP50N20PM
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16972 Pieces
Ficha de datos:
IXTP50N20PM.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220 Isolated Tab
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP50N20PM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2720pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 20A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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