FDP24AN06LA0
Número de pieza:
FDP24AN06LA0
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17883 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP24AN06LA0.pdf2.FDP24AN06LA0.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:19 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):75W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDP24AN06LA0
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 7.8A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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