IXTP36N30T
IXTP36N30T
Número de pieza:
IXTP36N30T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12220 Pieces
Ficha de datos:
IXTP36N30T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTP36N30T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 300V 36A (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:300V
Descripción:MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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