IXTH260N055T2
IXTH260N055T2
Número de pieza:
IXTH260N055T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14288 Pieces
Ficha de datos:
IXTH260N055T2.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTH260N055T2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTH260N055T2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTH260N055T2 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 (IXTH)
Serie:TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.3 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTH260N055T2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 260A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:260A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios