español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH2R4N120P
IXTH2R4N120P
IXTH2R4N120P
Número de pieza:
IXTH2R4N120P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16708 Pieces
Ficha de datos:
IXTH2R4N120P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTH2R4N120P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTH2R4N120P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTH2R4N120P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 (IXTH)
Serie:Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTH2R4N120P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1207pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTH2R4N120P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTH200N085T Image IXTH200N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 Investigación
IXTH2N150L Image IXTH2N150L IXYS MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 Investigación
IXTH20N50D Image IXTH20N50D IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Investigación
IXTH26P20P Image IXTH26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-247 Investigación
IXTH200N075T Image IXTH200N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 Investigación
IXTH250N075T Image IXTH250N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 Investigación
IXTH21N50 Image IXTH21N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 Investigación
IXTH24P20 Image IXTH24P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD Investigación
IXTH24N50L Image IXTH24N50L IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Investigación
IXTH20P50P Image IXTH20P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 Investigación
IXTH280N055T Image IXTH280N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 Investigación
IXTH270N04T4 Image IXTH270N04T4 IXYS MOSFET N-CH 40V 270A Investigación
IXTH230N085T Image IXTH230N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 Investigación
IXTH220N055T Image IXTH220N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 Investigación
IXTH2N300P3HV Image IXTH2N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Investigación
IXTH2N170D2 Image IXTH2N170D2 IXYS MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247 Investigación
IXTH22N50P Image IXTH22N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 Investigación
IXTH20N65X Image IXTH20N65X IXYS MOSFET N-CH 650V 20A TO-247 Investigación
IXTH220N075T Image IXTH220N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 Investigación
IXTH200N10T Image IXTH200N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 Investigación

Latest Noticias