IXTH110N25T
IXTH110N25T
Número de pieza:
IXTH110N25T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14737 Pieces
Ficha de datos:
IXTH110N25T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 (IXTH)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo):694W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTH110N25T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:157nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 110A (Tc) 694W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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