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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTA4N60P
IXTA4N60P
IXTA4N60P
Número de pieza:
IXTA4N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18516 Pieces
Ficha de datos:
IXTA4N60P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXTA)
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):89W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTA4N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:635pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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