español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTA42N25P
IXTA42N25P
IXTA42N25P
Número de pieza:
IXTA42N25P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15219 Pieces
Ficha de datos:
IXTA42N25P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTA42N25P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTA42N25P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTA42N25P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXTA)
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:84 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTA42N25P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 42A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTA42N25P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IRFIB7N50LPBF Image IRFIB7N50LPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP Investigación
FDD9409_F085 Image FDD9409_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 90A TO252 Investigación
IXTA44N30T Image IXTA44N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 Investigación
STP16NF06FP Image STP16NF06FP STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP Investigación
IRFS7430TRLPBF Image IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK Investigación
IXTA44P15T Image IXTA44P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Investigación
IRFZ44ESTRR Image IRFZ44ESTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Investigación
IXTA48P05T Image IXTA48P05T IXYS MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 Investigación
IXTA44P15TTRL Image IXTA44P15TTRL IXYS MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Investigación
IXTA4N65X2 Image IXTA4N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 Investigación
IXTA44N25T Image IXTA44N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 44A TO-263 Investigación
IXTA48N20T Image IXTA48N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 Investigación
IXTA4N80P Image IXTA4N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 Investigación
CSD25201W15 Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Investigación
BSP315PH6327XTSA1 Image BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Investigación
IXTA4N60P Image IXTA4N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK Investigación
IXTA4N150HV Image IXTA4N150HV IXYS MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 Investigación
PSMN9R0-30LL,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V QFN3333 Investigación
IXTA460P2 Image IXTA460P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 Investigación
IRFI9Z14G Image IRFI9Z14G Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP Investigación

Latest Noticias