IXTA180N085T7
IXTA180N085T7
Número de pieza:
IXTA180N085T7
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14891 Pieces
Ficha de datos:
IXTA180N085T7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263-7 (IXTA..7)
Serie:TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):430W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTA180N085T7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 85V 180A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:85V
Descripción:MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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