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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFX160N30T
IXFX160N30T
IXFX160N30T
Número de pieza:
IXFX160N30T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19066 Pieces
Ficha de datos:
IXFX160N30T.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:GigaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:19 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):1390W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFX160N30T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:335nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 300V 160A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:300V
Descripción:MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

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