Comprar IXFX100N25 con BYCHPS
Compre con garantía
IXFX100N25
- Número de pieza:
- IXFX100N25
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12792 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFX100N25.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFX100N25, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFX100N25 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PLUS247™-3 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 27 mOhm @ 50A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 560W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFX100N25 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 250V 100A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 250V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFX100N25
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX180N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX120N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX170N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX100N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX150N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | Investigación |
|
IXFX180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX180N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX140N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX170N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX180N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX160N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 | Investigación |
|
IXFX120N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 120A TO-247 | Investigación |
|
IXFX120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | Investigación |
|
IXFX120N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog